DMT10H015LCG-7
| 工場モデル | DMT10H015LCG-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN |
| パッケージ | V-DFN3333-8 |
| 株式 | 235312 pcs |
| データシート | Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDMT10H015LCG |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.366 | $0.326 | $0.254 | $0.21 | $0.166 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | V-DFN3333-8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
| 基本製品番号 | DMT10 |
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