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DMT10H009LK3-13 Image
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DMT10H009LK3-13

工場モデル DMT10H009LK3-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
パッケージ TO-252, (D-Pak)
株式 206309 pcs
データシート Diodes Environmental Compliance CertDMT10H009LK3
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.412 $0.37 $0.288 $0.238 $0.188
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。206309のDiodes Incorporated DMT10H009LK3-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 9mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 1.7W (Ta)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2309 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 20 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 90A (Tc)
基本製品番号 DMT10

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DMT10H009LK3-13 データテーブルPDF

データシート