DMT10H025SK3-13
工場モデル | DMT10H025SK3-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R |
パッケージ | TO-252, (D-Pak) |
株式 | 450560 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Site Chg 6/Aug/2020DMT10H025SK3 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 | 25000 |
---|---|---|---|
$0.088 | $0.082 | $0.079 | $0.076 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 23mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 1.4W (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1544 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 21.4 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 41.2A (Tc) |
基本製品番号 | DMT10 |
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