DMT10H010SPS-13
| 工場モデル | DMT10H010SPS-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 |
| パッケージ | PowerDI5060-8 |
| 株式 | 247454 pcs |
| データシート | DMT10H010SPSDiodes Environmental Compliance CertMult Dev Site Chg 6/Aug/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2500 | 5000 | 12500 |
|---|---|---|
| $0.191 | $0.181 | $0.175 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.8mOhm @ 13A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.2W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4468 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 56.4 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.7A (Ta), 113A (Tc) |
| 基本製品番号 | DMT10 |
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