DMT10H009LFG-7
| 工場モデル | DMT10H009LFG-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI |
| パッケージ | PowerDI3333-8 |
| 株式 | 278411 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertMult Changes 11/May/2023DMT10H009LFG |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2000 | 6000 | 10000 |
|---|---|---|
| $0.179 | $0.17 | $0.164 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | POWERDI3333-8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2361 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| 基本製品番号 | DMT10 |
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