DMN3200U-7
工場モデル | DMN3200U-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
パッケージ | SOT-23-3 |
株式 | 641842 pcs |
データシート | DMN3200UMultiple Device Changes 29/Apr/2013Green Encapsulate 15/May/2008Diodes Environmental Compliance CertBond Wire 3/May/2011 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.17 | $0.137 | $0.093 | $0.07 | $0.052 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 650mW (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 290 pF @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Ta) |
基本製品番号 | DMN3200 |
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