DMN3190LDW-7
工場モデル | DMN3190LDW-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 |
パッケージ | SOT-363 |
株式 | 962750 pcs |
データシート | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015Diodes Environmental Compliance CertDMN3190LDW |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.172 | $0.128 | $0.073 | $0.048 | $0.037 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.8V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 190mOhm @ 1.3A, 10V |
電力 - 最大 | 320mW |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 87pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN3190 |
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