DMN33D8LDW-13
| 工場モデル | DMN33D8LDW-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A |
| パッケージ | SOT-363 |
| 株式 | 2482842 pcs |
| データシート | DMN33D8LDWDiodes Environmental Compliance CertAssembly REV 07/Sep/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 10000 | 30000 | 50000 | 100000 |
|---|---|---|---|
| $0.021 | $0.02 | $0.017 | $0.017 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 100µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
| 電力 - 最大 | 350mW |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 48pF @ 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.23nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 250mA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | DMN33 |
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