DMN32D4SDW-13
工場モデル | DMN32D4SDW-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363 |
パッケージ | SOT-363 |
株式 | 2004970 pcs |
データシート | DMN32D4SDWDiodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10000 | 30000 | 50000 | 100000 |
---|---|---|---|
$0.025 | $0.023 | $0.02 | $0.02 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.6V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 400mOhm @ 250mA, 10V |
電力 - 最大 | 290mW |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 50pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.3nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 650mA |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN32 |
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