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DMN3112SSS-13 Image
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DMN3112SSS-13

工場モデル DMN3112SSS-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
パッケージ 8-SOP
株式 6911 pcs
データシート DMN3112SSSMultiple Device Changes 29/Apr/2013Diodes Environmental Compliance CertMultiple Devices 24/Nov/2014
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6911のDiodes Incorporated DMN3112SSS-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.2V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 57mOhm @ 5.8A, 10V
電力消費(最大) 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 268 pF @ 15 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Ta)
基本製品番号 DMN3112

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DMN3112SSS-13 データテーブルPDF

データシート