DMG6602SVTX-7
| 工場モデル | DMG6602SVTX-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R |
| パッケージ | TSOT-26 |
| 株式 | 1475019 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 | 6000 | 15000 | 30000 | 75000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.036 | $0.034 | $0.032 | $0.029 | $0.028 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-26 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V |
| 電力 - 最大 | 840mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400pF @ 15V, 420pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13nC @ 10V, 9nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel Complementary |
| 基本製品番号 | DMG6602 |
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