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Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

工場モデル DMG5802LFX-7
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
パッケージ W-DFN5020-6
株式 166664 pcs
データシート DMG5802LFXBond Wire 11/Nov/2011Diodes Environmental Compliance CertParts Removed 18/Sep/2018
提案された価格 (米ドルでの測定)
1
$0.211
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。166664のDiodes Incorporated DMG5802LFX-7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ W-DFN5020-6
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
電力 - 最大 980mW
パッケージ/ケース 6-VFDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1066.4pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 31.3nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 24V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.5A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual) Common Drain
基本製品番号 DMG5802

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DMG5802LFX-7 データテーブルPDF

データシート