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Diodes Incorporated

DMG6602SVTQ-7-52

工場モデル DMG6602SVTQ-7-52
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
パッケージ TSOT-26
株式 848352 pcs
データシート DMG6602SVTQ
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000
$0.041
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。848352のDiodes Incorporated DMG6602SVTQ-7-52の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.3V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TSOT-26
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
電力 - 最大 840mW (Ta)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
FET特長 Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
コンフィギュレーション N and P-Channel Complementary
基本製品番号 DMG6602

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DMG6602SVTQ-7-52 データテーブルPDF

データシート