DMG8822UTS-13
工場モデル | DMG8822UTS-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP |
パッケージ | 8-TSSOP |
株式 | 885550 pcs |
データシート | DMG8822UTSBond Wire 11/Nov/2011Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 | 25000 | 62500 |
---|---|---|---|---|
$0.063 | $0.059 | $0.055 | $0.052 | $0.051 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 900mV @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 25mOhm @ 8.2A, 4.5V |
電力 - 最大 | 870mW |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 841pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.9A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
基本製品番号 | DMG8822 |
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