DMG6601LVT-7
| 工場モデル | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
| パッケージ | TSOT-26 |
| 株式 | 994819 pcs |
| データシート | DMG6601LVTDiodes Environmental Compliance CertMult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.141 | $0.108 | $0.067 | $0.046 | $0.035 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-26 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 3.4A, 10V |
| 電力 - 最大 | 850mW |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 422pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A, 2.5A |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | DMG6601 |
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