DMG4N60SJ3
| 工場モデル | DMG4N60SJ3 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 3A TO251 |
| パッケージ | TO-251 |
| 株式 | 3846 pcs |
| データシート | DMG4N60SJ3Diodes Environmental Compliance CertMult Devices EOL 05/Feb/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 41W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 532 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) |
| 基本製品番号 | DMG4 |
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