Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFH8311TRPBF
Infineon Technologies

IRFH8311TRPBF

工場モデル IRFH8311TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
パッケージ PQFN (5x6)
株式 230031 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017Warehouse Transfer 29/Jul/2015PQFN 5x6 RoHS Compliance
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.437 $0.392 $0.306 $0.253 $0.199 $0.186
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。230031のInfineon Technologies IRFH8311TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.35V @ 100µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (5x6)
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.1mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 3.6W (Ta), 96W (Tc)
パッケージ/ケース 8-TQFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4960 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 66 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 32A (Ta), 169A (Tc)
基本製品番号 IRFH8311

おすすめ商品

IRFH8311TRPBF データテーブルPDF

データシート

IRFH8311TRPBFに関連した語彙

IRFH8311TRPBF関連コンポーネント