IRFH8201TRPBF
| 工場モデル | IRFH8201TRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN |
| パッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| 株式 | 136793 pcs |
| データシート | Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Package Drawing Update 19/Aug/2015IRFHyyy Supplier Chg 26/Feb/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.748 | $0.672 | $0.54 | $0.444 | $0.368 | $0.342 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 0.95mOhm @ 50A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7330 pF @ 13 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 111 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 49A (Ta), 100A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFH8201 |
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