IRFH7932TR2PBF
| 工場モデル | IRFH7932TR2PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 |
| パッケージ | PQFN (5x6) Single Die |
| 株式 | 4571 pcs |
| データシート | Part Number GuideBackend Wafer Transfer 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 100µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) Single Die |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.4W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4270 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 51 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Ta), 104A (Tc) |
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