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IRF8313TRPBF

工場モデル IRF8313TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 280330 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemStandardized Format 21/Jun/2023Mult Mosfet Test/Fab Add 9/Oct/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.339 $0.299 $0.23 $0.181 $0.145 $0.132
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。280330のInfineon Technologies IRF8313TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.35V @ 25µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 760pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 9nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.7A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 IRF8313

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データシート

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