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Vishay Siliconix

IRF840HPBF

工場モデル IRF840HPBF
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
パッケージ TO-220AB
株式 219607 pcs
データシート IRF840HPBF
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.556 $0.498 $0.388 $0.321 $0.253 $0.236 $0.224 $0.216
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。219607のVishay Siliconix IRF840HPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 850mOhm @ 4.8A, 10V
電力消費（最大） 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1059 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 39 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7.3A (Tc)

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