IRF830BPBF-BE3
工場モデル | IRF830BPBF-BE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 220460 pcs |
データシート | IRF830B |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.445 | $0.397 | $0.31 | $0.256 | $0.202 | $0.189 | $0.179 | $0.172 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V |
電力消費(最大) | 104W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 325 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.3A (Tc) |
基本製品番号 | IRF830 |
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