Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF830ASPBF
Vishay Siliconix

IRF830ASPBF

工場モデル IRF830ASPBF
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 104808 pcs
データシート IRF830AS,AL, SiHF830AS,ALMult Devices 25/May/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.892 $0.801 $0.644 $0.529 $0.439 $0.408 $0.393 $0.383
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。104808のVishay Siliconix IRF830ASPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.4Ohm @ 3A, 10V
電力消費（最大） 3.1W (Ta), 74W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 620 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 24 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5A (Tc)
基本製品番号 IRF830

おすすめ商品

IRF830ASPBF データテーブルPDF

データシート

IRF830ASPBFに関連した語彙

IRF830ASPBF関連コンポーネント