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Fairchild Semiconductor

IRF830B

工場モデル IRF830B
メーカー Fairchild Semiconductor
詳細な説明 N-CHANNEL POWER MOSFET
パッケージ TO-220
株式 154631 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
513
$0.229
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。154631のFairchild Semiconductor IRF830Bの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
電力消費(最大) 73W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1050 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 35 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.5A (Tc)

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