IRF7480MTRPBF
工場モデル | IRF7480MTRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET |
パッケージ | DirectFET™ Isometric ME |
株式 | 71235 pcs |
データシート | Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev A/T Add 26/Feb/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.998 | $0.895 | $0.72 | $0.591 | $0.49 | $0.456 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.9V @ 150µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric ME |
シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.2mOhm @ 132A, 10V |
電力消費(最大) | 96W (Tc) |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric ME |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6680 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 185 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 217A (Tc) |
基本製品番号 | IRF7480 |
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