IRF7470TRPBF
工場モデル | IRF7470TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 10A 8SO |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 123236 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.717 | $0.644 | $0.518 | $0.425 | $0.352 | $0.328 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 13mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3430 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.8V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Ta) |
基本製品番号 | IRF7470 |
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