IRF7492PBF
| 工場モデル | IRF7492PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 5582 pcs |
| データシート | IRF7492PbFIR Part Numbering SystemGen 10.1 Devices 12/Sept/2012 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 79mOhm @ 2.2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1820 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Ta) |
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