IRF7469TRPBF
工場モデル | IRF7469TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 9A 8SO |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 193121 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Standardized Format 21/Jun/2023Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.475 | $0.425 | $0.331 | $0.273 | $0.216 | $0.202 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2000 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 23 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Ta) |
基本製品番号 | IRF7469 |
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