IRF7473TRPBF
工場モデル | IRF7473TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 129954 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Standardized Format 21/Jun/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.606 | $0.542 | $0.422 | $0.349 | $0.275 | $0.257 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26mOhm @ 4.1A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3180 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 61 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.9A (Ta) |
基本製品番号 | IRF7473 |
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