IRF6665TR1PBF
| 工場モデル | IRF6665TR1PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET |
| パッケージ | DIRECTFET™ SH |
| 株式 | 4466 pcs |
| データシート | Multiple Devices 20/Dec/2013Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMSL Update 20/Feb/2014 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ SH |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 62mOhm @ 5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric SH |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 530 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
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