IRF6662TRPBF
工場モデル | IRF6662TRPBF |
---|---|
メーカー | International Rectifier |
詳細な説明 | IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW |
パッケージ | DIRECTFET™ MZ |
株式 | 73325 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
253 |
---|
$0.463 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.9V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MZ |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 22mOhm @ 8.2A, 10V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MZ |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1360 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
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