IRF6645
| 工場モデル | IRF6645 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET |
| パッケージ | DIRECTFET™ SJ |
| 株式 | 5139 pcs |
| データシート | IRF6645(TR)PbFIR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/May/2012 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.9V @ 50µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ SJ |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 5.7A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta), 42W (Tc) |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric SJ |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 890 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
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