Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF520NSPBF
IRF520NSPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF520NSPBF

工場モデル IRF520NSPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 4046 pcs
データシート IRF520N(S,L)PbFPkg Type Disc 16/May/2016IR Part Numbering SystemMaterial Chg 24/Nov/2015Copper Plating Update 31/Aug/2015Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4046のInfineon Technologies IRF520NSPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 200mOhm @ 5.7A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 48W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tube
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 330 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 25 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.7A (Tc)

おすすめ商品

IRF520NSPBF データテーブルPDF

データシート

IRF520NSPBFに関連した語彙

IRF520NSPBF関連コンポーネント