IRF5210PBF
工場モデル | IRF5210PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 79769 pcs |
データシート | Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017IR Part Numbering SystemMult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$1.169 | $1.051 | $0.845 | $0.694 | $0.575 | $0.535 | $0.516 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60mOhm @ 24A, 10V |
電力消費(最大) | 200W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2700 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 180 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) |
基本製品番号 | IRF5210 |
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