Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF5210SPBF
IRF5210SPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF5210SPBF

工場モデル IRF5210SPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 6273 pcs
データシート Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Packing Material Update 16/Sep/2016Warehouse Transfer 29/Jul/2015IR Part Numbering SystemMult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018Material Chg 24/Nov/2015Copper Plating Update 31/Aug/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6273のInfineon Technologies IRF5210SPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 60mOhm @ 38A, 10V
電力消費（最大） 3.1W (Ta), 170W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2780 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 230 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 38A (Tc)

おすすめ商品

IRF5210SPBF データテーブルPDF

データシート

IRF5210SPBFに関連した語彙

IRF5210SPBF関連コンポーネント