IRF510PBF
工場モデル | IRF510PBF |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 201829 pcs |
データシート | Packaging InformationIRF510, SiHF510Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.459 | $0.409 | $0.319 | $0.264 | $0.208 | $0.194 | $0.185 | $0.178 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。201829のVishay Siliconix IRF510PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
電力消費(最大) | 43W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 180 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.6A (Tc) |
基本製品番号 | IRF510 |
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