IRF5210LPBF
| 工場モデル | IRF5210LPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 38A TO262 |
| パッケージ | TO-262 |
| 株式 | 4819 pcs |
| データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Tube Pkg MOQ Standardization 28/Jul/2017IR Part Numbering SystemMult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 38A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2780 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRF5210 |
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