IPG20N10S4L35ATMA1
工場モデル | IPG20N10S4L35ATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
パッケージ | PG-TDSON-8-4 |
株式 | 156658 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Assembly Chg 4/Oct/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.503 | $0.449 | $0.35 | $0.289 | $0.228 | $0.213 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.1V @ 16µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 35mOhm @ 17A, 10V |
電力 - 最大 | 43W |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1105pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17.4nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | IPG20N |
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