IPG20N06S2L-35AATMA1
| 工場モデル | IPG20N06S2L-35AATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| パッケージ | PG-TDSON-8-10 |
| 株式 | 6121 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 27µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 |
| シリーズ | OptiMOS® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 15A, 10V |
| 電力 - 最大 | 65W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IPG20N |
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