IPG20N06S4L14ATMA1
| 工場モデル | IPG20N06S4L14ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| パッケージ | PG-TDSON-8-4 |
| 株式 | 4364 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 20µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13.7mOhm @ 17A, 10V |
| 電力 - 最大 | 50W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2890pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 39nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IPG20N |
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