IPG20N06S2L65ATMA1
| 工場モデル | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 |
| パッケージ | PG-TDSON-8-4 |
| 株式 | 262898 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Site Add 10/Feb/2023 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.396 | $0.354 | $0.276 | $0.228 | $0.18 | $0.168 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 14µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 15A, 10V |
| 電力 - 最大 | 43W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 410pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IPG20N |
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