IPG20N06S3L-35
| 工場モデル | IPG20N06S3L-35 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 |
| パッケージ | PG-TDSON-8-4 |
| 株式 | 6803 pcs |
| データシート | IPG20N06S3L-35Part Number Guide |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 15µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 11A, 10V |
| 電力 - 最大 | 30W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1730pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IPG20N |
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