FQU3N50CTU
| 工場モデル | FQU3N50CTU |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
| パッケージ | I-PAK |
| 株式 | 6466 pcs |
| データシート | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 23/Dec/2021onsemi RoHSPassivation Material 14/May/2008Wafer Fab 28/Jul/2021FQU3N50C |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 1.25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 365 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQU3N50 |
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