FQU5N60CTU
工場モデル | FQU5N60CTU |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 277882 pcs |
データシート | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSPassivation Material 26/June/2007Wafer Fab 28/Jul/2021FQD5N60C, FQU5N60C |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.38 | $0.34 | $0.265 | $0.219 | $0.173 | $0.161 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 670 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.8A (Tc) |
基本製品番号 | FQU5N60 |
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