FQU5P20TU
工場モデル | FQU5P20TU |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 317128 pcs |
データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Multiple Parts obs 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019FQD5P20 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.349 | $0.312 | $0.244 | $0.201 | $0.159 | $0.148 | $0.141 | $0.136 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.4Ohm @ 1.85A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 430 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.7A (Tc) |
基本製品番号 | FQU5P20 |
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