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onsemi

FQU2N100TU

工場モデル FQU2N100TU
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
パッケージ I-PAK
株式 190224 pcs
データシート Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSFQD2N100, FQU2N100
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.604 $0.539 $0.42 $0.347 $0.274 $0.256 $0.243 $0.234
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。190224のonsemi FQU2N100TUの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I-PAK
シリーズ QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 9Ohm @ 800mA, 10V
電力消費(最大) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 520 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 15.5 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1000 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.6A (Tc)
基本製品番号 FQU2N100

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FQU2N100TU データテーブルPDF

データシート