FQU2N90TU-WS
| 工場モデル | FQU2N90TU-WS |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK |
| パッケージ | I-PAK |
| 株式 | 5611 pcs |
| データシート | Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSFQD2N90, FQU2N90 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQU2N90 |
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