NXPSC046506Q
工場モデル | NXPSC046506Q |
---|---|
メーカー | WeEn Semiconductors |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC |
パッケージ | TO-220AC |
株式 | 75296 pcs |
データシート | NXPSC04650All Device Label Chg 14/Feb/2020EOL PCN_2023030004DN 24/Mar/2023Mult Dev Site Add 23/Sep/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$1.085 | $0.976 | $0.784 | $0.645 | $0.536 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7 V @ 4 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AC |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 170 µA @ 650 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A |
Vrと、F @キャパシタンス | 130pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | NXPSC |
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