NXPLQSC20650WQ
| 工場モデル | NXPLQSC20650WQ |
|---|---|
| メーカー | WeEn Semiconductors |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 株式 | 4797 pcs |
| データシート | All Device Label Chg 14/Feb/2020Diodes 1-20-23Adv Status Notice 28/Sep/2018Mult Dev Wafer Status 28/Sep/2018NXPLQSC20650W |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.85 V @ 10 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 230 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 20A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 250pF @ 1V, 1MHz |
| 基本製品番号 | NXPLQSC |
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