Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > ダイオード-整流器-シングル > NXPSC08650X6Q
WeEn Semiconductors

NXPSC08650X6Q

工場モデル NXPSC08650X6Q
メーカー WeEn Semiconductors
詳細な説明 DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
パッケージ TO-220F
株式 46257 pcs
データシート NXPSC08650XAll Device Label Chg 14/Feb/2020EOL PCN_2023030004DN 24/Mar/2023Mult Dev Site Add 23/Sep/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$1.796 $1.613 $1.322 $1.125 $0.978
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのWeEn Semiconductorsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。46257のWeEn Semiconductors NXPSC08650X6Qの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.7 V @ 8 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション 175°C (Max)
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 230 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 8A
Vrと、F @キャパシタンス 260pF @ 1V, 1MHz
基本製品番号 NXPSC

おすすめ商品

NXPSC08650X6Q データテーブルPDF

データシート

NXPSC08650X6Qに関連した語彙

NXPSC08650X6Q関連コンポーネント